Bootstrapping (electrónica)

Cuando se aplica deliberadamente, la intención suele ser aumentar en lugar de disminuir la impedancia.

Para minimizar el tamaño del condensador necesario, se coloca entre la entrada y una salida que oscila en la dirección opuesta.

Un N-MOSFET/IGTB necesita una carga significativamente positiva (VGS > Vth) aplicada a la puerta para encenderse.

FET a un voltaje suficientemente por encima de V + para encender completamente el N-FET del lado alto; mientras que el diodo bootstrap bloquea el voltaje por encima de-V + para que no vuelva a la línea de alimentación V +.

[7]​ Un MOSFET / IGBT es un dispositivo controlado por voltaje que, en teoría, no tendrá ninguna corriente de puerta.

Esto hace posible utilizar la carga dentro del condensador para fines de control.

Sin embargo, eventualmente el capacitor perderá su carga debido a la corriente de puerta parásita y la resistencia interna no ideal (es decir, finita), por lo que este esquema solo se usa cuando hay un pulso constante presente.

Este enfoque es menos costoso y más eficiente que proporcionar una fuente de alimentación lineal separada solo para iniciar el circuito regulador.