Esta corriente es casi independiente de la tensión inversa aplicada.
(Steadman 1993, 459) la corriente inversa de saturación, IS, para un diodo ideal p–n está dada por (Schubert 2006, 61):
{\displaystyle I_{\mathrm {S} }=eA\left({\sqrt {\frac {D_{\mathrm {p} }}{\tau _{\mathrm {p} }}}}{\frac {n_{\mathrm {i} }^{2}}{N_{\mathrm {D} }}}+{\sqrt {\frac {D_{\mathrm {n} }}{\tau _{\mathrm {n} }}}}{\frac {n_{\mathrm {i} }^{2}}{N_{\mathrm {A} }}}\right),\,}
son los tiempos de vida media de huecos y electrones libres, respectivamente.
Debe tenerse en cuenta que la corriente de saturación no es una constante para un determinado dispositivo, sino que varía con la temperatura.
Una regla común es que se duplica por cada 10 °C de aumento en la temperatura.