La memoria racetrack es un dispositivo experimental de memoria no volátil en desarrollo en el Almaden Research Center de IBM por un equipo conducido por Stuart Parkin, así como equipos en otras localizaciones.
Los dispositivos de Flash ya son construidos en las fabs más recientes de 45nm, y hay problemas que sugieren que reducir la escala a 30 nm pueda ser un límite fundamental más bajo.
La memoria Flash es un dispositivo asimétrico, relativamente lenta para escribir, hasta 1000 veces más lenta que los tiempos de lectura, lo que limita su uso en muchas aplicaciones.
La investigación reciente en la universidad de Hamburgo ha seguido la pista a este problema y encontró que es debido a imperfecciones microscópicas en la estructura cristalina de los alambres que conduce a que las paredes de dominio "queden ancladas" en estas imperfecciones.
Usando un microscopio de rayos X para tener imágenes directas entre los dominios, su investigación encontró que las paredes del dominio serían movidas por pulsos tan cortos como algunos nanosegundos cuando estas imperfecciones estaban ausentes.