La cantidad de cadmio (Cd) de la aleación se puede escoger para ajustar la absorción óptica del material a la longitud de onda infrarroja deseada.
[1] El CdTe es un semiconductor con una banda prohibida de aproximadamente 1,5 electronvoltios (eV) a temperatura ambiente.
La mezcla de estas dos sustancias permite obtener cualquier banda intercalada entre 0 y 1,5 eV.
Entre los semiconductores comunes utilizados para la detección de infrarrojos, sólo el InSb e InAs superan la movilidad electrónica de HgCdTe a temperatura ambiente.
Los electrones también tienen una gran longitud balística a esa temperatura; su recorrido libre medio puede ser de varios micrómetros.